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        3μm巨量轉移獲突破!Micro LED量產之路再進一步

        2019-10-09    

        中國照明網報道

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        導語: Mikro Mesa Technology成功開發領先全球的無壓合低溫鍵結3μm Micro LED巨量轉移技術,讓Micro LED顯示技術量產之路又往前推進了一大步。

          Mikro Mesa Technology成功開發領先全球的無壓合低溫鍵結3μm Micro LED巨量轉移技術,讓Micro LED顯示技術量產之路又往前推進了一大步。

          Mikro Mesa 2017年開始與南京中電熊貓合作,在中電熊貓的實驗室,經過兩年的開發,完成了此項領先業界的先進顯示器技術。

          Mikro Mesa的技術使用了直徑3μm的μLED芯片,為領先業界的超微小尺寸,讓磊晶片的利用率達到極致的高水準。轉移尺寸接近4吋,一次可容納高達數百萬顆以上的μLED轉移,并可進行多次多色μLED的轉移。而大尺寸的轉移面積,可大幅減少轉移次數,并增加了大尺寸全彩色顯示器的量產性。

          除此之外,Mikro Mesa的技術還具備了低溫免壓鍵合特點,確保了未來高生產效率,同時也可以避免目前業界加壓鍵合所帶來的良率問題,為Micro LED先進顯示器制造技術的進程樹立了重要里程碑。直徑3μm的μLED芯片,大小約為人類頭發截面積的1/700。

          該芯片的大小,較目前業界一般常見的Micro LED面積更是小了100倍以上,成為全球第一的創舉。據了解,這也是顯示器業界首度展示的超過3吋并使用 5μm以下芯片尺寸的μLED顯示技術。

          據Mikro Mesa內部人員表示,該顯示技術能夠轉移2~5μm大小的芯片,可以制造出高達1,800dpi等級的高精密度顯示器,并可應用在55吋或以上Micro LED電視。換言之,在產品應用上,該技術將從穿戴式裝置、智能手機、電視一直到AR產品,均具有獨到的競爭優勢。

          另外,由于制程溫度較低的緣故,該技術更是制造柔性及透明顯示器的首選。預期該技術的未來性能與競爭力將遠遠超過AMOLED,在應用領域上也會更加廣闊,大大提升了Micro LED的未來發展性。

          該技術采用了Mikro Mesa的專利制程,芯片采用垂直結構,電流散布比傳統Flip-chip覆晶式均勻,同時也能承受更高的電流密度。而芯片與下電極連接后,采用一次性整面封裝,上電極可使用ITO或是奈米銀線等,對于未來大量生產以及改善光學出光效率等方面,都留有極大的設計彈性。

          此外,因為芯片尺寸微小的緣故,該技術也能達到50%以上的透明度,在達到高解析度的同時,也能做到高穿透率的透明顯示器,大幅增加未來應用的可發展性。

          Mikro Mesa Technology由陳立宜博士于2014年成立,該公司致力于Micro LED的研究與量產技術開發,目前已擁有36項美國專利、14項臺灣及大陸專利,至于全球申請中的專利更是超過100項以上。

          Mikro Mesa Technology創辦人陳立宜表示,該顯示技術是Micro LED通往消費型產品應用之路的一大突破,由于芯片尺寸變小,因此Micro LED的材料成本將大幅降低,不但能夠與AMOLED比擬,甚至有機會可以與LCD競爭。至于未來在軟性顯示器以及透明顯示器的應用上,能夠發展的空間會更大,將可大幅縮短Micro LED技術相關產品上市的時間點。

          陳立宜表示,Mikro Mesa Technology是一家開放的公司,歡迎全球對于Mikro Mesa顯示技術有興趣的廠家一起來合作,不管是對于新型顯示器有需求的公司,或是顯示器業界的上中下游。大家一起共同開發推廣Micro LED顯示技術,讓Micro LED能成為新一代革命性的消費電子顯示界面。

        編輯:嚴志祥

        來源:時報資訊

        標簽:巨量轉移  Micro  LED  量產  

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